又一巨星陨落巨星陨落

作者: 小赵 Wed Aug 12 17:42:40 SGT 2020
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又一巨星陨落

2019年12月4日17时10分,“我国功率器材领路人”陈星弼在四川成都逝世,享年89岁。陈星弼,1931年1月出生于上海,1952年毕业于国立同济大学电机系,先后在厦门大学、南京工学院及我国科学院物理研究所作业,1956年开始在电子科技大学任教,1999年中选我国科学院院士。他是世界半导体界闻名的超结结构(Super Junction)的创造人,该创造被称为“功率器材的新里程碑”。
2018年,在功率半导体范畴最尖端的学术年会上,陈星弼院士当选ISPSD首届名人堂,成为国内首位当选名人堂的华人科学家。
经过多年的实验,陈星弼通过改动功率管的结构,创造晰复合缓冲耐压结构,现称为超结器材(SUPER-JUNCTION)。它的优点是导通电阻低,易驱动,速度快。该技能已经获得美国和我国创造专利。自1998年起,国外已有8家公司在制作。这个办法的工艺被改善后,本钱大大下降,现在已成为一种重要产品,科技成果转化市场规模每年超越10亿美元。
20世纪90年代初,行业界专家以为,陈星弼的几项创造成为第二次电子革命的打破口,这一创新在十年内将无人能打破。
国外专家对陈星弼及其创造给予高度评价:“ 陈教授是电子学科范畴的常识巨匠,是国家的宝藏,应该被以为是我国现代的英豪。”
有专家说到陈星弼的创造对半导体业界革命性的影响说:“他们所发布的这些专利和创造,真真切切地在功率半导体技能方面引发了一场革命。”
大师远去,荣光犹存。